华声报讯：第五届薄膜物理与应用国际会议日前在上海举行。来自中国、美国、法国、瑞典、新加坡、印度及日本等十多个国家和地区的150多位专家和学者，围绕薄膜物理、薄膜材料、制膜技术和薄膜应用等问题进行了研讨。   
    近年来，随着薄膜技术的飞速发展，薄膜技术的应用已渗透至国民经济科技的各个领域。最为广泛的应用就是半导体产业。随着芯片的特征尺寸缩小至0.13μｍ，甚至90ｎｍ或45ｎｍ，整个半导体制程工艺就是薄膜制程工艺的集合。因此薄膜材料及相关的技术研究引起了世界各国科学家的关注。每两年一届的薄膜物理与应用国际会议，正是为从事薄膜技术和产品研发的专业人员提供了交流薄膜最新技术与发展动向的平台，从而推进薄膜技术不断进步。   
　　在本次会议中，来自美国加利福尼亚大学的资深教授King-Ningtu是薄膜科学研究领域的专家。他所做的报告是超大规模集成电路制程中影响可靠性的一个关键问题——金属薄膜互连的电迁移问题。该问题是解决0.13μｍ及更小尺寸制程工艺的关键问题，他就该领域最新的研究动态，进行了详细的介绍和分析，引起了听众的极大兴趣。瑞典皇家工学院微电子与信息技术系的教授Mikaeltling，是高速硅器件和碳化硅器件方面的专家。他在报告中介绍了将结型金属氧化物半导体场效应管和非挥发性场效应管集成在单个碳化硅衬底上的最新研究成果。这种新型的碳化硅器件可在200℃的高温环境下工作，其优良特性得到业界的普遍重视。来自日本仙台东北大学的TakafumiYao，是新型材料—II族氧化物和III族氮化物方面的国际资深教授。报告针对红外探测和夜视系统应用，详细讨论了这类新兴薄膜材料在光、电、磁方面的综合特性，吸引了与会代表的广泛关注。   
    据悉，本次会议进行了薄膜理论、薄膜材料、薄膜生长技术和薄膜应用等四个专题的分组报告。薄膜理论专题包括，薄膜结构理论、薄膜表面/界面特性、量子结构和纳米结构方面的理论研究。薄膜材料专题包含半导体薄膜、铁电薄膜、磁性薄膜、超导薄膜、有机薄膜和生物工程薄膜。薄膜生长技术专题包含薄膜淀积、薄膜外延等技术。薄膜应用专题涵盖了微电子、光电子、微电子机械系统（MEMS）、信息存储、显示器、传感器及太阳能电池方面的多种应用。在会议上，来自国内30余所大学和研究机构的代表就相关领域所做的报告，较为全面地反映了中国在薄膜技术及应用方面的最新研究水平。